Biến rác thải thủy tinh thành dây nano Silicon Carbide siêu bền trong vài giây
>Các nhà nghiên cứu tại Đại học >Rice vừa công bố một phương pháp mới mang tính cách mạng: chuyển đổi thủy tinh phế thải và rác thải than đá thành dây >nano >silicon >carbide (>SiC). Đây là những sợi >filament có độ bền cực cao, thường được ứng dụng để gia cố nhựa và xi măng.
Công nghệ Gia nhiệt >Flash >Joule có hỗ trợ >Fluorine (FAF):
Phương pháp này nén thủy tinh vụn, muội than và >natri >florua vào một ống thạch anh. Một dòng điện mạnh chạy qua ống sẽ làm nóng vật liệu lên khoảng 2.000 °C chỉ trong vài giây. Ở nhiệt độ này, >carbon khử >silicon >dioxide trong thủy tinh để tạo thành dây >nano >SiC rắn.
Ưu điểm vượt trội so với phương pháp truyền thống:
1. Tốc độ thần tốc: Thay vì mất hàng chục giờ như các quy trình truyền thống, phương pháp mới chỉ tính bằng giây.
2. Tiết kiệm năng lượng và chi phí: Cắt giảm tới 96% lượng khí thải CO2 và năng lượng tiêu thụ. Chi phí vận hành giảm xuống chỉ còn 0,9 USD/>kg—tương đương mức giảm 99%.
3. Nền tảng đa năng: Không chỉ dừng lại ở >SiC, công nghệ FAF có thể sản xuất dây >nano từ >boron >carbide, >titanium >carbide và >niobium >carbide.
Mặc dù vẫn còn một số thách thức về việc duy trì nhiệt độ đồng nhất khi mở rộng quy mô công nghiệp , nhưng công nghệ này đã được một công ty cấp phép để đưa vào sản xuất thương mại.